Если пришла пора апгрейда вашего компьютера, если вы меняете ЦПУ и память, не забудте о таком параметре оперативной памяти как Тайминг.
В данном материале мы расскажем о том, что такое тайминги, какие тайминги лучше.
О таймингах оперативной памяти
Прежде чем говорить о таймингах, нужно иметь представление, что это такое. Тайминг – это временна́я задержка сигнала при работе динамической оперативной памяти (Вообще, тайминг-это жаргон, правильнее говорить –Латентность). Тайминги в некоторой степени определяют скорость обмена информацией оперативной памяти (ОЗУ) с процессором (СРU),они отражают размер задержекпамяти при записи и чтения данных. Размер тайминга определяет такт шины памяти.
Тайминги для краткости записывают в виде трех или четырех чисел, по порядку: CAS Latency, RAS to CAS Delay и RAS Precharge Time.Это значения, отражающие время, за которое обрабатываются данные. Каждое число — временной отрезок, который измеряется в тактах шины.
|
Параметры таймингов |
Определение |
|
CAS-латентность, CL |
Время между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, при открытой строке. |
|
Row Address to Column Address Delay, TRCD |
Число тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки — TRCD + CL. |
|
Row Precharge Time, TRP |
Число тактов между командой на предварительный заряд банка (закрытие строки) и открытием следующей строки. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка — TRP + TRCD + CL. |
|
Row Active Time, TRAS |
Число тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на TRCD. Обычно примерно равно сумме трёх предыдущих чисел. |
|
Примечания: · RAS : Row Address Strobe — строб адреса строки · CAS : Column Address Strobe — стробадресастолбца · TWR : Write Recovery Time, время, между последней командой на запись и предзарядом. Обычно TRAS = TRCD + TWR. · TRC : Row Cycle Time. TRC = TRAS + TRP. |
|
Содержание
CAS-латентность
Один из самых значимых показателей из таймингов.
CAS-латентность — это задержка между запросом процессора на чтение ячейки памяти и временем доступа оперативной памяти для чтения данных.Например, CAS Latency 2 означает, что данные будут получены только через два такта после получения команды чтения.
Модули памяти SDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 1, 2 или 3 циклам. Модули DDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 2 или 2.5 и так далее, взависимости от поколения ОЗУ (см. Рис.1).
На модулях памяти может быть обозначение как CAS или CL. Пометка CAS2, CAS-2, CAS=2, CL2, CL-2 или CL=2 обозначает величину задержки, равную 2.
Тайминги памяти были особенно интересны для поколений DDR и DDR2 , из-за небольшого размеракэша процессора, в связи с чем программам требовалось часто обращаться к памяти. Таймингам ОЗУ DDR3 или DDR4, имеющие гораздо большие задержки,уделяется меньше внимания, поскольку современные процессоры, которыми мы пользуемся (например Intel Core i5, i7) имеют достаточно большие L2-кэши и очень большие L3-кэши, что снизило потребность обращений к оперативке.
Рис.1. Снимок упаковки ОЗУ.
Производитель может указать и тайминги из четырёх чисел, например 16-18-18-38. Последний параметр называется «DRAM Cycle Time Tras/Trc» и показываетполное быстродействие всей микросхемы памяти. Это отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), по другому — цикл банка (Bank Cycle Time).
RAS-CAS или tRCD
Указывает на число тактов, которое занимает получение доступа к RAM и активации строки, а потом — колонки, которая содержит данные, и команды на считывание данных или же их запись.
RAS Precharge
Поскольку ОЗУ — динамическая память, ее ячейки работают по 2-ичной системе: заряжена –состояние 1, разряжена – состояние 0. В процессе хранения данных, в зависимости от температуры и времени, ячейки постепенно разряжаются, и им требуется подзарядка через определенное время. Для сохранения данных их необходимо обновлять. Это процесс регенерации ОЗУ.
RAS Precharge в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку — регенерацию ОЗУ и разрешением на доступ к следующей строчке информации.
Row Active
Означает время активации одной строки памятидля чтения или записи данных.
На что влияют тайминги
Если кратко — на скорость, с которой считывается информация, и быстроту обмена данными между памятью и процессором. Естественно, это воздействует и на быстроту функционирования компьютера в целом.
Чем ниже тайминг, тем выше производительность, тем скорее ЦП получает доступ к банкам памяти.
Как посмотреть тайминги ОЗУ
Значения таймингов, как и другую информацию об ОЗУ, можно узнать, посмотрев на китовую коробку или сам модуль памяти(на модуленаклейка с аналогичной надписью). Тайминги полностью указываются не всегда, иногда только CL задержка. При необходимости тайминг можно узнать на сайте производителя.
При желании можно проверить таймингиустановленной в ПК ОЗУ, они отображаются в БИОСе.
Влияние тайминга на быстродействие
Влияние тайминга на быстродействие не является значительным,гораздо важнее следующие параметры: количество памяти, частота, на которой работает ОЗУ, ЦПУ и другие параметры, но не нужно забывать, что с повышением частоты ОЗУ, повышаются и задержки памяти. Но при прочих равных условиях предпочтение нужно отдавать памяти с меньшим таймингом.
Как настроить тайминги оперативной памяти
После установки памяти БИОС автоматически узнает частотные показатели и тайминги. При необходимости тайминги можно менять.
Рис.2. Настройка таймингов в БИОС
Вот коротко информация о таймингах оперативной памяти. В заключение хочется сказать, что работу по изменению таймингов нужно проводить аккуратно, не спеша, да и то если есть очень большая необходимость..
